Hi-tech

Samsung выпустит SSD на новой флеш-памяти во второй половине года

Компания Samsung объявила, что представит свой первый потребительский твердотельный накопитель на базе флэш-памяти V-NAND 7-го поколения во второй половине года.

Эта флэш-память имеет 176-слойную структуру. Для сравнения, шестое поколение V-NAND состояло из 100 слоев ячеек, а первое поколение – из 23 слоев.

Samsung ожидает, что следующее поколение флэш-памяти будет соответствовать не только PCIe 4.0, но и PCIe 5.0 с пропускной способностью ввода-вывода 2 Гбит / с.

Кроме того, у компании уже есть работающий чип V-NAND восьмого поколения с более чем 200 слоями ячеек.

Добавьте «SRNSK News» в источники
Яндекс новостиGooglenews